容量大、制造工艺成熟的NASA闪存已经成为整个手机存储器行业的标准，不过，在未来几年内，它将遇到前所未有的挑战。

　　美国加州创业公司Crossbar日前推出一种超大容量、高性能非易失性存储技术"Crossbar Resistive RAM"（电阻式记忆体，RRAM），它是一种可以用于电脑和移动设备的内部存储器，可用现有半导体工艺制造，速度相比现在的NAND闪存要快上许多，读写时还非常节能。

　　RRAM号称可以在200平方毫米大小（基本上就相当于个拇指盖）的半导体芯片里存下最多1TB数据，相比之下，现在手机所使用的NAND闪存在同等面积下的存储容量大概只有其1/8。如果这种技术得以推广，未来移动设备存储容量将得到极大提高。



　　RRAM的另一个优势就是实用。Crossbar声称它根本无需专用的半导体工艺，沿用现有的闪存、内存CMOS电路产线即可完成制造，他们已经在第三方晶圆厂内开发出了可工作的Crossbar存储阵列，从而迈出了投入商用的里程碑一步。



　　从原理上来说，Crossbar RRAM高密度存储的秘密在于3D堆叠结构，下图中类似层层堆叠的铁轨一样的物体就是RRAM的存储单元，顶部和底部是点击，中间是交换媒介，一个小"方格"就是一个存储数据的基本电路。



　　Crossbar RRAM的另一项优势在于将控制器直接集成到了存储单元之中，延迟和互联带宽都要比闪存芯片低得多，Crossbar声称这种新型存储技术能带来20倍的读写性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗，而内核面积可以小一半还要多——官方数据是同样的25nm 8GB，NAND闪存需要167平方毫米，RRAM只需77平方毫米，其使用寿命也10倍于NAND，可以说是一种完美的高速存储器。



　　Crossbar还表示，这种存储器还可以以阵列的方式运行，他们计划将这项技术授权给其它公司使用，目前30余项专利已经被授予。

　　Crossbar目前已经完成了RRAM原型芯片的流片，首款产品将会面向嵌入式SoC市场，并向SoC厂商开放技术授权。Crossbar认为RRAM的适用范围极广，包括消费 电子、手机、平板机、企业存储、固态硬盘、云计算、工业联网设备、损耗计算、安全支付等等，基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。

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